%0 Journal Article
%T 优质Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM—APD超晶格结构的MBE生长
%A 林耀望
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文描述了采用Varian GenⅡMBE系统,和VA-175型砷裂解炉,以及5个“9”的铍作p型掺杂剂,严格仔细地控制外延生长过程,成功地制备了优质的Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM-APD超晶格结构外延材料。倍增层p-Al_(0.6)Ga_(0.4)As的载流子浓度低达2.3×10~(14)cm~(-3)电子与空穴离化率的比值为25.0。此材料用于制作超晶格雪崩光电探测器,器件性能有显著的提高。在初始光电流I_(po)=100nA下,反向偏压为80伏得到的内部雪崩增益为1900,计算分析最大雪崩倍增因子高达6050。
%K 化合物半导体
%K 超晶格
%K 结构
%K MBE生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE38B233AC184067FE0C&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=EB8E83807F36F05B&eid=E5ED9059DE792E50&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2