%0 Journal Article
%T 一种新的亚稳态Mn的制备和结构研究
%A 朱兴国
%A 张明
%A 徐敏
%A 董国胜
%A 金晓峰
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文利用反射式高能电子衍射,对于Mn在GaAs(001)清洁表面上的分子束外延进行了研究,第一次从实验上直接观察到Mn的一种新的亚稳态,即γ-Mn(面心立方结构)。实验还发现,在靠近GaAs界面处的外延层中,晶格常数在平面内约有5％的膨胀,这一晶格畸变随着与界面距离的增大而逐步减少。
%K 锰
%K 制备
%K 分子束外延
%K 结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8AD07E03CBE1E48A&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=5A027C8E6C570AAB&eid=D7F3FD6D87AEF622&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1