%0 Journal Article
%T 电荷DLTS及其对硅上砷化镓材料中深能级的测量
%A 董琪
%A 郑心畬
%A 陈培毅
%A 费新礴
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文提出并建立了具有漏电补偿功能的电荷DLTS方法.该方法具有与电容DLTS方法相同的率窗特性,同时又能直接测量深能级热发射的电荷响应而不必依赖耗尽区厚度的热发射调制,因此能用于半绝缘材料及耗尽层厚限定(如PIN,SOI结构)材料中的深能级测量.所建立的测量系统利用微机控制,可以在一次温度扫描中完成测量过程.利用该系统首次测量了 MBE生长硅衬底砷化镓材料上 LED二极管有源区中的深能级密度及位置,证实了其中高密度深能级的存在.
%K 砷化镓
%K 深能级
%K 测量
%K 电荷DLTS法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2B13ED443F5B0BEC&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=94C357A881DFC066&sid=4290346F7268639E&eid=7ABC4505E3960D2B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2