%0 Journal Article
%T Si_3N_4膜pH-ISFET输出特性研究
%A 虞惇
%A 魏亚东
%A 王贵华
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 通过对 pH-ISFET的长时间测量,发现器件的输出偏离 Nernst方程.提出了器件输出由快响应、慢响应和时漂三部分组成,以及器件响应与时漂数据的提取方法.证明了快慢响应的共同作用符合Nernst方程,慢响应的响应幅度小,长达数小时之久.在响应初期观察到的器件漂移,主要是慢响应造成的.
%K Si3N4膜
%K ISFET
%K 输出特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B1212CAF896437156753D&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=E158A972A605785F&sid=82722E2B785EBF0D&eid=80BD0A2EF8664214&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0