%0 Journal Article
%T Mechanical and Electrical Properties of N~+ and N_2~+ Implanted Si<br>N~+和N_2~+注入Si的力学和电学特性
%A Ma Delu/
%A <br>马德录
%A 毛晓峰
%A 尚德颖
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文用X射线衍射(XRD)的运动学理论和扩展电阻(SR)研究了N~+和N_2~+注入Si的力学和电学性质,给出了不同剂量的晶格应变随注入深度的分布以及在注入层中产生的点缺陷数量。用SR给出了不同剂量N~+和N_2~+注入Si的电阻率随深度的变化。二者比较,我们实验的各种剂量(1×10~(16)cm~(-2)除外)的电阻率大致相等,而产生的应变,后者是前者的1.3倍左右。
%K Ion implantation
%K X-ray diffraction
%K Spreading resistance
%K Lattice strain<br>离子注入
%K N
%K Si
%K X射线衍射
%K 晶格应变
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8B386B0A18766F38B81232F2C5E54FF3&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=5D311CA918CA9A03&sid=20C9FB8C7B4A22AD&eid=50B6AC44200581A5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=1