%0 Journal Article
%T Polysilicon Emitter Double Mesa Microwave Power SiGe HBT<br>多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT(英文)
%A LIU Zhinong
%A Xiong Xiaoyi
%A HUANG Wentao
%A Li Gaoqing
%A Zhang Wei
%A Xu Jun
%A Liu Zhihong
%A Lin Huiwang
%A Xu Ping
%A CHEN Peiyi
%A TSIEN Pei-Hsin
%A <br>刘志农
%A 熊小义
%A 黄文韬
%A 李高庆
%A 张伟
%A 许军
%A 刘志弘
%A 林惠旺
%A 许平
%A 陈培毅
%A 钱佩信
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件,其性能为:β=60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在90 0MHz和3 5V/ 0 2A偏置时在1dB压缩
%K SiGe
%K HBT
%K microwave power amplifer<br>锗硅
%K 异质结双极晶体管
%K 微波功率放大器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=57CC858D0889BCE0&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=547650636788ED84&eid=F52FA2254444BE97&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=5