%0 Journal Article
%T 基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺
%A 罗毅
%A 张盛忠
%A 司伟民
%A 陈镝
%A 王健华
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器．并实现了激光器在室温下的脉冲激射，、器件表现出了ＤＦＢ模式的单模工作特性．
%K 半导体激光器
%K 分子束外延
%K 砷化镓
%K 砷化铝镓
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=464C3CCD2D818623&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D02611D1F8166C9A&eid=C230D48775108CE3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5