%0 Journal Article
%T GaAs／Al_0．33Ga_0．67As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化
%A 刘振先
%A 李国华
%A 韩和相
%A 汪兆平
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 利用高压光致发光方法在液氮温度下和０—３５ｋａｒ的压力范围内对不同层厚的ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格以及具有相近组份的Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料进行了系统的研究．测得Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ体材料的Γ谷和Ｘ谷的压力系数分别为８．６ｍｅＶ／ｋｂａｒ和－．５７ｍｅＶ／ｋｂａｒ．在一定的压力范围内同时观测到了短周期超晶格中与类Γ态和类Ｘ态相关的发光峰，从而得到了类Γ态能级和类Ｘ态能级随压力的变化关系．首次获得了有关ＧａＡｓ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓ短周期超晶格能带不连续性（包括价带
%K GaAs／AlGaAs
%K 能带结构
%K 超晶格
%K 压力
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FE3AD82F2825E5453E108B31DA36EEF&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=38B194292C032A66&sid=D5C9DC4EF2F78008&eid=C5F8B8CB20F1B3D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=5