%0 Journal Article
%T ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究
%A 陈南翔
%A 张旭光
%A 张美云
%A 李映雪
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm~2/V.s及 200 cm~2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10~(-10)A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.
%K ELO／SOI膜
%K 短沟道
%K 制备工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CC278ED7ECB61DE4&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=94C357A881DFC066&sid=B7BFA4B351E4C682&eid=9F8C5EF901EA1E7E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2