%0 Journal Article
%T 离子注入展宽p-n结终端
%A 万积庆
%A 陈迪平
%A 廖晓华
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 研究了离子注入展宽p-n结终端工艺,介绍了离子注入剂量或者注入净电荷选择理论.实验证明采用本工艺获得产品的击穿电压高于耗尽层刻蚀工艺所得产品的击穿电压.
%K 离子注入
%K 击穿电压
%K 刻蚀
%K 工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398BDA7C34DEA23BE825&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=E158A972A605785F&sid=0C191C6ECF79047F&eid=E2E0FBFE4D7EFB94&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2