%0 Journal Article
%T GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系
%A 赵家龙
%A 高瑛
%A 刘学彦
%A 苏锡安
%A 梁家昌
%A 关兴国
%A 章其麟
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=013C38DBC110B684&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=E158A972A605785F&sid=FBCA02DBD05BD4EA&eid=6A73B36E85DB0CE9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0