%0 Journal Article
%T 不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究
%A 卢励吾
%A 周洁
%A 瞿伟
%A 张盛廉
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间InP 一侧有若干界面陷阱存在,获得了与界面陷阱有关的深能级参数.这些陷阱的来源可能是:(1)介质膜淀积过程中InP表面部分P原子挥发造成的P空位;(2)InP衬底材料中的原生缺陷;(3)介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤.
%K 介质膜
%K MIS结构
%K 界面陷阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FD72AC19DA637C01&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=E158A972A605785F&sid=4966445AEEBA9556&eid=FA89360EB995A8AD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0