%0 Journal Article
%T N-InSb的杂质补偿度对其非线性电导的影响
%A 徐建人
%A 龚雅谦
%A 郑国珍
%A 郭少令
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 在深低温强磁场条件下,对不同电学参数(掺杂量,补偿度等)的N-InSb材料的过热电子输运特性进行了系统研究,结果表明:高补偿材料能在较高电场区呈现出很强的非线性电导,对此,我们采用了二带导电模型进行了分析和讨论,提出了利用高补偿低浓度N-InSb材料来改善锑化铟远红外探测器性能的新方法,从而为锑化铟过热电子远红外探测器的选材提供了可靠依据.
%K 锑化铟
%K 杂质补偿度
%K 非线性电导
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B1212F76716F4108BC3BB&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=302684F6FB4B24FF&eid=3622B70F9C54A9CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1