%0 Journal Article
%T 用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究
%A 姚振钰
%A 任治璋
%A 王向明
%A 刘志凯
%A 黄大定
%A 秦复光
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm~2V~(-1)s~(-1),比文献报道高两个量级.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FE8DE254B4C50ABF&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=5D311CA918CA9A03&sid=AE43DE0664B02889&eid=91BAD12CFABB3251&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0