%0 Journal Article
%T 用XPS研究快速热退火形成TiSi_2的热氧化
%A 陈存礼
%A 李建年
%A 华文玉
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 用XPS结合AES、SEM、XRD分析研究了快速热退火形成的TiSi_2经100—1000℃、20—60 的热氧化行为.TiSi_2表面由SiO_2+ TiO_2组成的混合层随着氧化温度的升高或是氧化时间的延长向SiO_2层过渡.提出一个“氧化时间两个阶段”的模型解释了实验结果.
%K 硅化物
%K 热退火
%K 热氧化
%K 硅化钛
%K XPS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B121219C06AE1FB6FF183&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=06D504E5261AB652&eid=23F919F7BAF87909&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4