%0 Journal Article
%T 氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究
%A 俞跃辉
%A 林成鲁
%A 邹世昌
%A 卢江
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文中研究了O~+(200keV,1.8 ×10~(18)cm~(-2))和 N~+(180keV,4 ×10~(17)cm~(-2))共注入Si形成 SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的微观结构.俄歇能谱(AES)和光电子能谱(XPS)的测量和研究结果表明:O~+和N~+共注入的SOI结构在经1200℃,2h退火后,O~+和N~+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异.这些结果与红外吸收和离子背散射谱的分析结果相一致.对这种SOI结构界面与埋层的形成特征进行了分析讨论。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A157633F239B37C8&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=2C20277AC27E4821&eid=54E527C5B72E59D8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0