%0 Journal Article
%T Triode PECVD氢稀释制备的nc-Si:H薄膜的新结果
%A 秦华
%A 陈坤基
%A 黄信凡
%A 李伟
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 采用三极管型等离子体增强化学汽相淀积（TriodePECVD）系统，适当选取硅烷（SiH4）和氢气（H2）流量比制备纳米硅（nc-Si：H）薄膜．保持栅极偏压为－100V，改变SiH4、H2流量比可以得到薄膜从非晶硅（a－Si：H）到nc－Si：H的结构转变，其氢气流量比例H2]／（H2]＋SiH4]）的阈值为93．3％．随着流量比进一步增大，晶化比例从12％增大至50％，但晶粒尺寸基本保持不变，nc－Si晶粒的平均尺寸约2．5nm，这是不同于常规二极管PECVD、氢稀释制备的nc－Si：H薄膜的新结果，并从实验上验证了电导率和电子迁移率的渗流现象．
%K 纳米硅薄膜
%K 三极管型
%K Triode
%K PECVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7274AFFCE5ABF83C&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=89F76E117E9BDB76&eid=D767283A3B658885&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=6