%0 Journal Article
%T MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究
%A 张荣
%A 杨凯
%A 秦林洪
%A 沈波
%A 施洪涛
%A 郑有炓
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文报道（0001）晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质．由光吸收谱和488umAr+激光激发的光调制反射光谱（PR）确定的禁带宽度分别为3．39和3．400eV，从光吸收谱得到了GaN薄膜的折射率随光谱能量的变化关系．对PR谱的调制机理进行的分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制．应用喇曼光谱研究了GaN薄膜中的声子模，通过对LO声子-等离激元的耦合模散射峰的研究，得到了材料中的载流子浓度和等离激元阻尼常数．
%K 氮化镓
%K MOCVD生长
%K 光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D18466AA76C79C39&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=C753EB8AC8F551B9&eid=6700D0D256586E73&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=3