%0 Journal Article
%T MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文)
%A 胡跃辉
%A 吴越颖
%A 陈光华
%A 王青
%A 张文理
%A 阴生毅
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 13
%K 磁场梯度
%K 洛伦兹拟合
%K a-Si∶H薄膜
%K 沉积速率
%K MWECR
%K CVD沉积系统
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FF2DF363776A390A&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=B31275AF3241DB2D&sid=9E7C0CB25117E09B&eid=06D504E5261AB652&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0