%0 Journal Article
%T 快速热退火对带有 InGaAs盖层的 InAs/GaAs量子点发光特性的影响(英文)
%A 魏永强
%A 刘会云
%A 徐波
%A 丁鼎
%A 梁基本
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 系统地研究了快速热退火对带有 3nm Inx Ga1 - x As(x=0 ,0 .1,0 .2 )盖层的 3nm高的 In As/ Ga As量子点发光特性的影响 .随着退火温度从 6 5 0℃上升到 85 0℃ ,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的 .但是 ,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于 In Ga As盖层的组分 .实验结果表明 In- Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用 .另外 ,我们在较高的退火温度下观测到了 In Ga As的发光峰
%K InAs/GaAs量子点
%K InGaAs盖层
%K 快速热退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=69D00E689AFA926C&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=47122BA7BE181C5A&eid=2A22E972FD97071B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0