%0 Journal Article
%T 新型Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器
%A 龚大卫
%A 杨小平
%A 卫星
%A 郑国祥
%A 胡际璜
%A 张翔九
%A 盛篪
%A 王迅
%A 董健民
%A 吴作良
%A 梁平治
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体_(873k)~*)优于2×10~8cm·Hz~(1/2)/W,30K为6×10~8cmHz~(1/2)/W,对500K黑体,30K工作温度下D_(500k)~*为1.6×10~8cm·Hz~(1/2)/W。由于探测器为宽带型,虽然峰值D~*并不很高,但在30℃的环境辐射背景下,对人体温度的辐射也有较强烈的响应。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9293A6FB33415163&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=E158A972A605785F&sid=89AC6B0ADBEA2741&eid=96A53C367B5173D7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0