%0 Journal Article
%T 超晶格分子层中的键能和平均键能的研究
%A 王仁智
%A 黄美纯
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文基于LMTO-ASA能带计算中的交叠球近似,提出一种计算超晶格中分子层的成键态能量E_b、反成键态能量E_s和平均键能E_h的方法.研究GaP、Si构成(GaP)_1(SiSi)_1(001)前后,其界面附近的E_b、E_s和E_h值的变化情况.得出异质结界面两侧平均键能E_h相互“对齐”的数值结果,讨论了“对齐”的机制等有关问题.
%K 超晶格
%K 分子层
%K 键能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=177017FB00C2C09B&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=E158A972A605785F&sid=82722E2B785EBF0D&eid=4290346F7268639E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=5