%0 Journal Article
%T GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模
%A 汪兆平
%A 韩和相
%A 李国华
%A 江德生
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用.
%K GaAs／AlAs
%K 超晶体
%K 光学声子模
%K 光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7AA1B4999F728ADF&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B9B90065CF5CD7F0&eid=B54EB62E9D3FF31E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3