%0 Journal Article
%T 1微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究
%A 徐立
%A 武国英
%A 张国炳
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 针对微米与亚微米器件对自对准硅化物技术的要求,本文报道了沟道长度为1微米的自对准CoSi_2硅化物化MOSFET(SALICIDE)技术的实验结果.首先研究了CoSi_2薄膜形成动力学和膜性质,随后着重研究并讨论了与自对准CoSi_2技术有关的一些重要问题,包括各向异性刻蚀、选择腐蚀和栅侧壁氧化物上的桥接试验等,最后给出了 1μm沟道长度的自对准 CoSi_2 SALICIDE MOS晶体管的电学性能实验结果.
%K 场效应晶体管
%K 自对准
%K 硅化物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EBCD17A0445AA24A&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=B31275AF3241DB2D&sid=5DCBAAB000A70168&eid=2E41258BCB9A7DB2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=1