%0 Journal Article
%T 硼掺杂半导体金刚石薄膜的合成与红外吸收特性
%A 张仿清
%A 谢二庆
%A 杨斌
%A 才永明
%A 陈光华
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 用热丝协助化学气相沉积法，用Ｂ２Ｏ３作掺杂剂，用丙酮作碳源，成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果．实验结果表明：在０．３０８ｅＶ和０．３４１ｅＶ处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的．这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5A670AE66A660971&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3FC4D669D19FF0C6&eid=7D1E6EEC2019967D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0