%0 Journal Article
%T 低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制
%A 张兴
%A 奚雪梅
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源电压时环振的单级门延迟时间分别为840ps和390ps．与体硅器件相比，全耗尽CMOS／SIMOX电路在低压时的速度明显高于体硅器件，亚微米全耗尽CMOS／SOI技术是低压低功耗和超高速集成电路的理想选择．
%K CMOS
%K SOI
%K 低压
%K 高速
%K 器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3694BF4E1B60CBF8&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=2F56B21F91C9B05B&eid=B344543C2864D684&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=5