%0 Journal Article
%T 亚微米MOSFET的计算机模拟
%A 张义门
%A 滕建旭
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文阐述了在考虑载流子能量输运的基础上建立起来的亚微米MOSFET的数值模型.在计入能量弛豫时间和量子沟道展宽效应的基础上提出一种改进的迁移率模型.数值结果表明理论和实验符合得相当好.
%K 场效应器件
%K MOSFET
%K 计算机模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3B5089B055E42692&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=94C357A881DFC066&sid=C2F76551C0111538&eid=EC34D52BE81085CE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0