%0 Journal Article
%T 1.55μm GaInAsP/InP DFB-DC-PBH激光器
%A 赵嵩山
%A 马磐
%A 周宁
%A 杨新敏
%A 董志江
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 在n-InP衬底或GaInAsP波导层上,使用氩离子激光器全息曝光方法刻制二级光栅,进行低温液相外延生长.再利用已有的DC-PBH激光器的制作工艺技术,构成了分布反馈双沟道平面掩埋异质结激光器(DFB-DC-PBH LD).15℃连续工作最低阈值电流为63mA,典型值70-120mA,线性输出光功率大于4mW,外微分量子效率为5～8.3％,主模波长λ温度漂移系数△λ/△T为0.8～1.0A/℃,静态单纵模较好,在400Mbit/s,700Mbit/s和1.4Gbit/s,20mA脉冲电流随机码调制下,单纵模工作稳定.相同条件下,DC-PBH LD单纵模明显变为多模或跳模.
%K 激光器
%K 分布反馈
%K 二级光栅
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7A527954D2157975&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=AB720B703F452703&eid=27350781F1397F32&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2