%0 Journal Article
%T Experimental Investigation on High Frequency Characteristics of Dual Gate MOSFETs<br>双栅MOSFET高频特性的实验研究
%A LI Yuanxiong/Microelectronics Division
%A Shanghai Institute ot Metallurgy
%A Academia SinicaZHANG Min/Microelectronics Division
%A Shanghai Institute ot Metallurgy
%A Academia Sinica
%A <br>李元雄
%A 张敏
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅MOSFET。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅MOSFET的高频设计思想,给出了全离子注入高频低噪声工艺。有效沟道长度为1μm的超高频双栅MOSFET在900MHz下功率增益为17dB,有效沟道长度为1.5μm的甚高频器件在200MHz下功率增益为23dB.
%K 双栅MOSFET
%K 最大可得功率增益
%K 1μm沟道长度器件
%K 全离子注入工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BAE18DB138071A15&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=E84BBBDDD74F497C&eid=5D71B28100102720&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0