%0 Journal Article
%T Investigation of Defects in Silicon Introduced by Rapid Thermal Annealing<br>快速热退火在硅中引入的缺陷的研究
%A LU Fang/Physics
%A <br>陆昉
%A 陆峰
%A 孙恒慧
%A 邬建根
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 快速热退火(RTA)将在n型硅中引入深能级缺陷。缺陷的种类和浓度随退火温度的变化而变化。由于这些缺陷的存在,使少数载流子寿命显著降低。这些缺陷可以分成两类。一类是与被冻结在晶格缺陷上的金属杂质有关,经二步退火后,这些缺陷能在650℃附近退火消失。另一类是晶格的本征缺陷,二步退火并不能消除这类缺陷。研究表明,这类缺陷与位错有关。
%K Deep level defect
%K Rapid thermal annealing
%K Minority carrier lifetime
%K Deep level transient spectroscopy
%K Dislocation<br>硅
%K 热退火
%K 缺陷
%K 深能级
%K 载流子寿命
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ED88D99E22ADC268&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B6DA1AC076E37400&eid=318E4CC20AED4940&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2