%0 Journal Article
%T Electrical Properties of Solid C70/GaAs Heterojunctions<br>C_(70)/GaAs异质结的电学性质
%A CHEN Kai-mao
%A SUN Wen-hong
%A WU Ke
%A WU Lan-qing
%A ZHOU Xi-huang
%A GU Zhen-nan
%A LIU Hong-fei
%A <br>陈开茅
%A 孙文红
%A 吴克
%A 武兰青
%A 周锡煌
%A 顾镇南
%A 刘鸿飞
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 在高真空系统中 ,将 C70 膜淀积在 n-和 p- Ga As(10 0 )衬底上 ,制成 C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As两种接触 ,并对它们的电学性质作了研究 .结果发现两种接触均为强整流结 ,在偏压为± 1V时 ,C70 / n- Ga As和 C70 / p- Ga As接触的整流比分别大于 10 6 和 10 4,并且它们的理想因子都接近于 1.当正向偏压固定时 ,它们的电流均是温度倒数的指数函数 ,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为 0 .784和 0 .5 31e V .用深能级瞬态谱 (DL TS)在 C70 / Ga As界面上观察到电子陷阱 E(0 .6 40 e V )和空穴陷阱 H3(0 .82 2 e V) ,以及用电容 -时间 (C- t)
%K solid C
%K 70
%K GaAs
%K interface states
%K recti fying property<br>固体C70
%K GaAs
%K 界面态
%K 整流性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=61F9EDE3729C4B51&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=5D311CA918CA9A03&sid=80B081C203919926&eid=243DE6042D93E88B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=18