%0 Journal Article
%T InGaAsP／InP MQW电流控制型双稳／非线性增益开关激光器
%A 张权生
%A 石志文
%A 杜云
%A 颜学进
%A 赵军
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
%K 双稳激光器
%K InGaAs
%K 磷化铟
%K 多量子阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A308BF14CCBB5314&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=FCB110411B6339D8&eid=43AADF4B53A8BF6F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4