%0 Journal Article
%T 掩埋结构激光器的生长研究
%A 杨国文
%A 肖建伟
%A 徐遵图
%A 徐俊英
%A 张敬明
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文对GaAs/GaAlAs系掩埋结构的外延生长工艺进行了十分细致的研究,并就生长特性和生长形貌等作了较全面的分析。将此外延生长技术运用于体材料结构或量子阱结构的一次外延片,均获得了具有极低阈值,性能优越的半导体激光器件。
%K 半导体激光器
%K 掩埋结构
%K 异质结
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9A56B363B0DB8DEB&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=2B6C525BCE31A7DA&eid=DEE640F0CDC9D495&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7