%0 Journal Article
%T 光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究
%A 龚大卫
%A 孙恒慧
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。
%K 砷化镓
%K 光电流
%K 瞬态谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2834BBBECD94ED57&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=00520952CD4BF212&eid=46FF101E7ECF9F15&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1