%0 Journal Article
%T Ti/SiO_2(薄)/Si体系在微量氧存在的氮气中退火过程的研究
%A 李映雪
%A 李玉铭
%A 李山东
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO_2(薄)/Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi_2层不断增厚,Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO_2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应2TiO+5Si=2TiSi_2+SiO_2能够发生,并以此解释了退火中各层的变化规律。
%K Ti／SiO2／Si
%K 微量氧
%K 氮气
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE38648912050DF296F5&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=826ED638BDB6F0D0&eid=5DD21DF25EF52D4A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1