%0 Journal Article
%T 多孔硅发强可见光的新物理模型
%A 秦国刚
%A 贾勇强
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文提出一个关于多孔硅发强可见光的物理模型:量子限制效应使多孔硅纳米硅粒中的电子-空穴对能量增高与电子-空穴对通过纳米硅粒以外的发光中心复合而发光。在用阳极氧化刚制备或用HF酸刚处理过的多孔硅中,硅-氢键特别是多硅烷可能是主导的发光中心,而在经过适当氧化处理后发光比较稳定的多孔硅中,发光中心可能是氧化层中的点缺陷或杂质。
%K 多孔硅
%K 发光
%K 物理模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=221BA7EA9D9FED5E&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=421C41B8FD4D3EBA&eid=7004BE6E41AAF52C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=18&reference_num=11