%0 Journal Article
%T Pd-化合物半导体界面的价带研究
%A 李楠
%A 林彰达
%A 高永立
%A J.H.Weaver
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 利用同步辐射光电子能谱对 Pd/GaAs、Pd/InP、Pd/InSb及 Pd/PbS界面形成过程中价带的变化进行了研究.在覆盖度θ(?)40A范围.上述界面体系的价带谱均主要由Pd4d带构成,并在Permi能级附近存在一个由Pd与衬底原子相互作用反键轨道形成的过渡肩峰;随着覆盖度增加,这一过渡肩峰逐渐被Pd4d带主峰所覆盖;对Pd4d带双峰进行解谱,得出了峰位置、峰半高宽及峰分裂间距随θ的变化关系,并由此对各体系中的界面过程进行了讨论.不同界面体系中,两类基本的界面过程——表面偏析与化学相互作用过程——的贡献各不相同,其中衬底负离子组份化学活性较强的界面体系中,化学相互作用过程为主被证明.
%K 化合物半导体
%K 电子能谱
%K 价带谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B12125913765F02FAE6BF&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=E158A972A605785F&sid=974CBB04624305A1&eid=AA27B676BFCAA4BE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1