%0 Journal Article
%T Effects of Thinning SiO2 Films on Light Emission Properties of Silicon Nanoquantum Dots Formed by Self-Assembled Growth<br>SiO_2膜的薄层化对自组织生长Si纳米量子点发光特性的影响
%A Peng Yingcai
%A K Takeuchi
%A S Inage
%A S Miyazaki
%A <br>彭英才
%A 竹内耕平
%A 稻毛信弥
%A 宫崎诚一
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 采用低压化学气相沉积方法 ,依靠纯 Si H4 气体的热分解反应 ,在 Si O2 表面上自组织生长了 Si纳米量子点 .实验研究了 Si O2 膜的薄层化对 Si纳米量子点光致发光特性的影响 .结果表明 ,当 Si O2 膜厚度减薄至 6 nm以下时 ,Si纳米量子点中的光生载流子会量子隧穿超薄 Si O2 层 ,并逃逸到单晶 Si衬底中去 ,从而减少了光生载流子通过Si O2 / Si纳米量子点界面区域内发光中心的辐射复合效率 ,致使光致发光强度明显减弱 .测试温度的变化对 Si纳米量子点光致发光特性的影响 ,则源自于光生载流子通过 Si O2 / Si纳米量子点界面区域附近非发光中心的非辐射复合
%K self
%K assembled growth
%K silicon nanoquantum dots
%K ultrathin SiO
%K 2 films
%K photoluminescence<br>自组织生长
%K Si纳米量子点
%K 超薄SiO2层
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F8B9C3E065CB19AA&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=38B194292C032A66&sid=866F8A6B640835A7&eid=273ADA1BCEFE8C00&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=13