%0 Journal Article
%T Ar~+激光结晶非晶硅膜电学性质研究
%A 张向东
%A 黄信凡
%A 陈坤基
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文使用TEM分析、X射线衍射以及电导和霍耳效应联合测量等手段研究了Ar~+激光结晶a-Si:H膜的结构和电学性质.结果表明a-Si:H液相激光结晶膜(LP-LCR)的平均晶粒尺寸达数十微米,呈<111>择优取向,室温电导率为1.5(Ω·cm)~(-1),电子霍耳迁移率达36cm~2V~(-1)s~(-1),是一种有应用前景的薄膜.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E2DD370DFB7EE690F55A9A19C8903FCF&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=933658645952ED9F&eid=2001E0D53B7B80EC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0