%0 Journal Article %T Ti Silicide Formation on Thin Film SIMOX Material
SIMOX薄膜上形成钛硅化物的研究 %A Lin Chenglu/Ion Beam Lcboratory %A
林成鲁 %A 周伟 %A 邹世昌 %A P.L.F.Hemment %J 半导体学报 %D 1990 %I %X 本文报道了在SIMOX(Separation by IMPlanted Oxygen)薄膜材料上制备钛硅化物的研究结果。研究表明,不同厚度的SIMOX薄膜材料上都形成了均匀的TiSi_2,其薄层电阻为4.0—4.5Ω/□,上层Si中的载流子峰值浓度达2×10~(20)/cm~3,获得了一种TiSi_2/n~+-Si/SiO_2/Si的多层结构。形成TiSi_2后,As原子在上层Si中的分布与SIMOX薄膜厚度有关,当上层Si很薄时,As原子在上层Si与SiO_2埋层的界面上的堆积是明显的。 %K Thin film SIMOX metarial %K TiSi_2 %K As pileup
SIMOX %K 薄膜 %K 钛硅化物 %K 半导体 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=83E099C1B5409F25&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=47F7649551A37CFC&eid=FE6B7E9BDCCDBAA6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1