%0 Journal Article
%T 离化团束方法在GaAs衬底上外延CdTe单晶薄膜
%A 冯嘉猷
%A 汤海鹏
%A 朱洪林
%A 范玉殿
%A 李恒德
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 利用离化团束外延(ICBE)技术在GaAs(100)衬底上生长了(100)和(111)两种晶向的CdTe外延层.X光衍射和 RHEED分析结果表明外延层为单晶薄膜,双晶衍射摆动曲线半高宽达630弧秒.本文研究了离化团能量和生长温度对外延层晶向和质量的关系。结果表明,当预热处理温度为480℃,外延取向关系为CdTe(100)//GaAs(100);当预热处理为580℃,外延取向关系为 CdTe(100)+(111)//GaAs(100).离化团束的能量对外延膜的结晶性能起着重要作用.
%K CdTe薄膜
%K 离子团束外延
%K 薄膜
%K GaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=54B4F6507B0838EF&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=94C357A881DFC066&sid=E39A3F4E3A67639B&eid=BF112261B65CB9C9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0