%0 Journal Article
%T Tantalum Silicide Formation by Ion-Beam Mixing and Rapid Thermal Annealing<br>用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物
%A Yao Wenqing/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A BeijingH Ryssel/Fraunhofer-Arbeitsgruppe Abteilung fur Bauelementetechnologie
%A University Erlangen-Nurnberg West Germany
%A <br>姚文卿
%A Heiner Ryssel
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量.
%K Tantalum silicide
%K Ion-beam mixing
%K Rapid thermal annealing
%K Sheet resistance
%K Transmission electron microscopy<br>硅化钽
%K 离子束混合
%K 热处理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F7E169CCF64A0313&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=06DAE5E1DF7D0B6A&eid=93661EC4C0CCEA67&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0