%0 Journal Article
%T Statistical Failure Characteristics of N-MOSFET''''s with Ultrathin Gate Oxides Under FN Stress and Lifetime Prediction<br>FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测
%A MU Fu chen
%A XU Ming zhen
%A TAN Chang hua
%A DUAN Xiao rong
%A <br>穆甫臣
%A 许铭真
%A 谭长华
%A 段小蓉
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 通过对不同氧化层厚度的 N- MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究 ,发现栅电压漂移符合 Weibull分布 . Weibull分布统计分析表明 ,5 .0、 7.0和 9.0 nm器件在 2 7和 10 5℃下本征失效的形状因子相同 ,即本征失效的失效机制在高低温度下相同 .非本征失效的比例随温度升高而增大 .在此基础上得出平均寿命 (t50 )与加速电场E成指数关系 ,进而提出了器件的寿命预测方法 .此方法可预测超薄栅 N- MOSFET在 FN应力下的寿命
%K reliability
%K ultrathin gate MOSFET
%K Weibull distribution<br>可靠性
%K 超薄栅MOSFET
%K Weibull分布
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7165834881DAF84F&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=59906B3B2830C2C5&sid=209749DE0D716184&eid=393263B6B7532F22&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=15