%0 Journal Article
%T GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型
%A 张鸿欣
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 提出了用于计算ＧａＡｓ场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型．其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理，使计算工作量下降约二个数量级．计算的峰值沟道温度与修正（包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响和瞬态冷却过程影响）后的电学法测量值的差别约为３℃．文中还用此模型模拟了若干工艺参数对峰值沟道温度的影响
%K 砷化镓
%K 场效应
%K 微波功率器件
%K 稳态热场分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=949A8D9F419CB4C2&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=E543FC2C7CA75C74&eid=6341CCF6B158C5F9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=3