%0 Journal Article
%T 直拉硅单晶中氮关新施主的研究
%A 张溪文
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 研究了微氮硅单晶在６００～９００℃温区的新施主形成特性，发现氧、氮杂质对新施主有重要影响．明确提出含氮直拉硅中存在不同于传统新施主的以氮硅氧复合体为成核中心的新型氮关新施主ＮＮＤ，其热处理行为类似于普通新施主，但形成特性受氮杂质的较大影响．对其形成机制也作了初步探讨
%K 直拉硅单晶
%K 硅单晶
%K 硅材料
%K 氮关新施主
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=060AC2D8148F0371&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=F6467E7C54ED952D&eid=C2053D4E59904B8A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9