%0 Journal Article
%T GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究
%A 杨小平
%A 张伟
%A 陈宗圭
%A 王凤莲
%A 田金法
%A 邓元明
%A 郑厚植
%A 高旻
%A 段晓峰
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生长，得到的量子点的尺寸和分布相当均匀．我们还研究了不同覆盖度的ＩｎＡｓ层的光致发光（ＰＬ）特性，结果发现在成岛前后，它们的ＰＬ特性有明显差异．
%K 砷化镓
%K 砷化铟
%K 半导体结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F817BF3EA636310D&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=F26986CDF689DBC4&eid=11632AEF1E1F2092&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=1