%0 Journal Article
%T 氧化物中固定电荷对硅场致发射的影响
%A 黄庆安
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文给出了硅表面覆盖氧化层时，场发射电流的解析公式．考虑了固定氧化物电行时场致发射的影响．结果表明，氧化物和固定电荷均使场发射电流减小，场发射Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ图中有两个明显的线性区．
%K 硅
%K 场致发射
%K 氧化物
%K 固定电荷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D471926901959F09&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=7CD511FB1661A334&eid=E002FF26604EFFAB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6