%0 Journal Article
%T IGBT的寄生晶闸管发射结分流电阻
%A 曹茂旺
%A 陈治明
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Ｒｐ的大电流ＩＧＢＴ，针对圆形、方形、条形等发射极图形设计．建立了Ｒｐ的计算公式模型，并据此讨论了在各种图形设计中的Ｒｐ与ｐ阱高浓度深层扩散的结深和表面杂质的关系，以及图形及其尺寸对Ｒｐ大小的影响．
%K IGBT
%K 寄生晶闸管
%K 发射结
%K 分流电阻
%K 晶闸管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=015BC58703EECA7F&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=E158A972A605785F&sid=44A4891E33BFF455&eid=C1B34927D429E92F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0