%0 Journal Article
%T 高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响
%A 赵福川
%A 夏冠群
%A 杜立新
%A 谈惠祖
%A 莫培根
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时，Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小，迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响，本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ，发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变，Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时，平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．
%K 砷化镓
%K 高温退火
%K 气固相平衡
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5055826CEA042805&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=12AD09BCF4A6E651&eid=6D6B4A516C7DB6EE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0