%0 Journal Article
%T 异质谷间转移电子器件的Monte Carlo模拟研究
%A 薛舫时
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 使用量子阱能带混合隧穿共振理论和ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算研究了异质谷间转移电子器件中的双能谷电子注入、两种谷间转移电子的相互作用、有源层电场分布及异质结电压的触发功能．首次发现了ＧａＡｓ器件中的三能谷谷间电子转移．算得的二极管伏安特性和实验测量结果相吻合．用所得的电场结构图和三能谷电子分布图证明强场畴能直接在阴极端触发，消除了耿氏有源层中的死区．由此说明了器件振荡频率下降和振荡效率升高的特性．
%K 半导体异质结构
%K 量子阱
%K 电子器件
%K 模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=110431D1957B5FB8&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=DF92D298D3FF1E6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4